光刻機采用類似照片沖印的技術，可以把一張巨大的電路設計圖縮印到小小的芯片上，光刻精度越高，芯片體積可以越小，性能也可以越高，是左右芯片制造的“核心技術中的核心技術”。該資料稱，作為國際上首臺分辨力最高的超分辨光刻裝備研制，僅用365納米波長的紫外線光源，單次曝光最高線寬分辨力已達到22納米（約1/17曝光波長）。在此基礎上項目組結合項目開發的高深寬比刻蝕、多重圖形等配套工藝，實現了10納米以下特征尺寸圖形的加工。該項目目前已獲得了授權國內發明專利47項，國外發明專利4項，擁有完全自主知識產權。但是，在公開發表的消息中，人們敏銳的發現，其光刻出來的產品卻沒有一個微電子芯片，展出的公開產品只有超導納米線探測器、超表面透鏡、納米結構色亞波長全息、SERS傳感基底等多種微納結構功能器件。

在早期的宣傳材料中，曾經明確宣稱“可填補我國在高端光刻設備方面的空白，由于無需高昂的光源和投影光學系統，成本相對193納米光刻設備大大降低，一旦實現工程化和技術成熟，即可廣泛應用于微電子信息、超高密度存儲等高新技術科學研究和產業領域”。隨著媒體的不斷報道，人們已知道光刻技術是當今世界制備集成電路、微電子與光電子器件的最關鍵技術之一，為了保持芯片行業近二十年來一直以摩爾定律（每個芯片上集成的元件數平均每18個月將翻一番）的速度發展，成像光刻設備需要具備每兩年最小分辨率提高0.7倍的曝光能力。

近日，據權威媒體披露，directadmin漢化 虛擬主機，由中國科學院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”順利通過驗收。眾所周知，微納光刻技術是現代先進制造的重要方向，是信息、材料等諸多領域的核心技術，其水平高低也是體現一個國家綜合實力的標志。現在現代芯片制造產業依靠的就是光刻機，光刻機是制造芯片的核心裝備，我國在這一領域曾長期落后，但關鍵技術落后不靠自己發展，別人是不可能公開自己的技術機密的，大國發展自己的核心高科技產業，免備案空間 香港服務器，需要堅持不懈投入，總能夠得出結果。光刻機這項技術曾長期把持在荷蘭ASML公司手中，目前世界上高端光刻機近80%均由該公司生產并在形式上長期對華實施技術封鎖和設備禁運，想發展芯片制造業，人家在源頭上、工具上和生產資料上打壓你，就算芯片電路設計再好，不夠生產制備芯片，一切都是空談。

根據國內外公開資料披露，早在2009年，我國就開展了表面等離子體超分辨光刻技術的基礎研究，據今已有9年的時間，并突破了一系列關鍵技術，例如掩膜壽命已突破100次，研制出專門的等離子體光刻用紫外線光刻膠，實現非接觸式光刻，建成了超分辨器件制備與檢測工藝線、整機集成與裝調、等離子光刻驗證工藝線。在此基礎上,制備了叉指線電路、存儲電路等功能結構圖形。根據上述信息分析，目前通過鑒定的國產超分辨光刻機似乎還是沒能實現在掩模版上完整的光刻出一個微電子芯片所需要的所有電路圖形，只是實現了微納結構功能器件的成功光刻，離真正意義上的微電子芯片所用的光刻機還有很大的距離，我國的光刻機研制任務依然十分艱巨。

目前最先進的微電子芯片已達到7納米制程，而能生產此制程的光刻機全球只有荷蘭阿斯麥公司可以生產，并且關鍵核心零部件全部被美國高科技公司掌握或控制。我國目前只具備90納米芯片制程的光刻機生產能力，與國際先進水平差距十分巨大。由于傳統的投影光刻技術資金投入十分巨大，光學系統異常復雜、鏡頭材料的選擇與加工特別困難、相應波長的光刻膠和激光光源技術含量極高，我國很難實現在傳統光刻原理的“彎道超車”，因此采用新原理的表面等離子體超衍射光學光刻成為我國國家自然科學基金、國家863計劃的重點資助對象，希望實現光刻機技術的顛覆性突破。